Решак англ 11: Spotlight 11 Grammar Check 2 »

ГДЗ по английскому языку для 11 класса на 5.fun

• • Английский язык 11 класс Enjoy English
  • Авторы: М.З. Биболетова, Н.Н. Трубанева
  • Издательство: Титул 2015
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Enjoy English
  • Авторы: М. З. Биболетова, Н.Н. Трубанева
  • Издательство: Титул 2015
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь с контрольными работами Enjoy English
  • Авторы: М.З. Биболетова, Н.Н. Трубанева
  • Издательство: Титул 2015
• • Английский язык 11 класс Spotlight
  • Авторы: Эванс В. , Дули Д., Оби Б., Афанасьева О. В., Михеева И. В.
  • Издательство: Просвещение 2016
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Spotlight
  • Авторы: Эванс В., Афанасьева О. В., Дули Д., Михеева И. В., Оби Б.
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс Контрольные задания Spotlight
  • Авторы: В. Эванс, Д. Дули, О. Афанасьева, И. Михеева
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс
  • Авторы: В.П. Кузовлев, Н.М. Лапа, Э.Ш. Перегудова
  • Издательство: Просвещение
• • Английский язык 11 класс Starlight Углубленный уровень
  • Авторы: Баранова К. М., Эванс В., Дули Д., Копылова В.В., Мильруд Р.
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс Книга для чтения
  • Авторы: В.П. Кузовлев, Н.М. Лапа, Э.Ш. Перегудова
  • Издательство: Просвещение 2015

• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь
  • Авторы: В. П. Кузовлев, Н.М. Лапа, Э.Ш. Перегудова
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс New Millennium
  • Авторы: Гроза О.Л., Дворецкая О.Б.
  • Издательство: Титул 2015
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь New Millennium
  • Авторы: Гроза О. Л., Дворецкая О.Б.
  • Издательство: Титул 2015
• • Английский язык 11 класс Happy English
  • Авторы: Кауфман К.И., Кауфман М.Ю.
  • Издательство: Титул 2012
• • Английский язык 11 класс Углубленный уровень
  • Авторы: Афанасьева О. В., Михеева И.В.
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс Rainbow Базовый уровень
  • Авторы: Афанасьева О.В., Михеева И.В., Баранова К.М.
  • Издательство: Дрофа 2016
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Rainbow Базовый уровень
  • Авторы: Афанасьева О. В., Михеева И.В., Баранова К.М.
  • Издательство: Дрофа 2015
• • Английский язык 11 класс
  • Авторы: В. Эванс, Д. Дули
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Углубленный уровень
  • Авторы: Афанасьева О. В., Михеева И.В., Баранова К.М., Мичугина С.В.
  • Издательство: Просвещение 2015

• • Английский язык 11 класс Инновационная школа Базовый уровень
  • Авторы: Ю.А. Комарова, И.В. Ларионова, Р. Араванис, С. Кокрейн
  • Издательство: Русское слово 2015
• • Английский язык 11 класс Forward
  • Авторы: Вербицкая М. В., Каминс К. Д., Парсонс Д., Миндрул О. С.
  • Издательство: Вентана-граф 2015
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Forward
  • Авторы: Вербицкая М.В., Фрикер Р., Миндрул О.Л.
  • Издательство: Вентана-граф 2016
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Happy English
  • Авторы: Кауфман К. И., Кауфман М.И.
  • Издательство: Титул 2014
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь Инновационная школа
  • Авторы: Комарова Ю.А., Ларионова И.В., Стайлз Э.
  • Издательство: Русское слово 2016
• • Английский язык 11 класс Enjoy English
  • Авторы: Биболетова М. З., Бабушис Е.Е., Снежко Н.Д.
  • Издательство: Дрофа 2017
• • Английский язык 11 класс
  • Авторы: Н. В. Юхнель, Н. Г. Наумова, Н. В. Демченко
  • Издательство: Высшая школа 2012-2021
• • Английский язык 11 класс Рабочая тетрадь
  • Авторы: Юхнель Н. В., Наумова Н.Г., Демченко Н.В.
  • Издательство: Аверсэв 2017
• • Английский язык 11 класс Книга для чтения Повышенный уровень
  • Автор: Демченко Н.В.
  • Издательство: Аверсэв 2016

• • Английский язык 11 класс
  • Авторы: Аяпова Т. , Абильдаева З., Тутбаева Ж.
  • Издательство: Мектеп 2015
• • Английский язык 11 класс Повышенный уровень
  • Авторы: Демченко Н.В., Бушуева Э.В., Севрюкова Т.Ю., Лапицкая Л.М., Романчук В.Р.
  • Издательство: Высшая школа 2022

• • Химия 11 класс Сборник задач и упражнений
  • Автор: Хомченко И. Г.
  • Издательство: Новая волна 2009
• • Алгебра 11 класс Базовый и углубленный уровень
  • Авторы: Ш.А. Алимов, Ю.М. Колягин, М.В. Ткачева
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Геометрия 11 класс
  • Авторы: Атанасян Л. С., Бутузов В.Ф., Кадомцев С.Б., Киселева Л.С., Позняк Э.Г.
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Алгебра 11 класс Задачник Базовый уровень
  • Автор: А.Г. Мордкович
  • Издательство: Мнемозина 2015-2020
• • Русский язык 11 класс
  • Авторы: Власенков А. И., Рыбченкова Л.М.
  • Издательство: Просвещение 2009
• • Алгебра 11 класс Задачник Базовый и углубленный уровень
  • Авторы: Мордкович А.Г., Денищева О.Л., Звавич Л.И.
  • Издательство: Мнемозина 2016-2020
• • Английский язык 11 класс Углубленный уровень
  • Авторы: Афанасьева О. В., Михеева И.В.
  • Издательство: Просвещение 2015
• • Английский язык 11 класс Инновационная школа Базовый уровень
  • Авторы: Ю.А. Комарова, И.В. Ларионова, Р. Араванис, С. Кокрейн
  • Издательство: Русское слово 2015
• • Английский язык 11 класс
  • Авторы: В. П. Кузовлев, Н.М. Лапа, Э.Ш. Перегудова
  • Издательство: Просвещение

Влияние вакансионного дефекта на характеристики поверхности и адсорбцию Cs на поверхности GaN(0001)

1. Решак А.Х. Дисперсия генерации второй гармоники в сплавах GaN _x As _{1- x} ( x = 0,25, 0,5, 0,75). Журнал сплавов и соединений . 2014; 589: 213–217. [Google Scholar]

2. Решак А.Х., Чарифи З., Баазиз Х. Влияние релаксации решетки на оптические свойства GaN _x As _{1-х сплавы} . Солнечная энергия . 2013;90:134–143. [Google Scholar]

3. Баазиз Х., Чарифи З., Решак А.Х., Хамад Б., Аль-Дури Ю. Структурные и электронные свойства сплавов GaN _x As _1-x . Прикладная физика А . 2012;106(3):687–696. [Google Scholar]

4. Хасс Бар-Илан А., Замир С., Кац О., Мейлер Б., Зальцман Дж. Оптимизация роста слоя GaN для мощных устройств. Материаловедение и инженерия A . 2001;302(1):14–17. [Google Академия]

5. Чжао Х., Лю Г., Тансу Н. Анализ квантовых ям InGaN-дельта-InN для светоизлучающих диодов. Письма по прикладной физике . 2010;97(13)131114 [Google Scholar]

6. Чоу В.В. Моделирование эффектов зонной структуры, зависящих от возбуждения, на эффективность светодиодов InGaN. Оптика Экспресс . 2011;19(22):21818–21831. [PubMed] [Google Scholar]

7. Farrell RM, Hsu PS, Haeger DA, et al. Лазерные диоды InGaN/GaN с низким порогом плотности тока без оболочки m-plane InGaN/GaN. Письма по прикладной физике . 2010;96(23)231113 [Google Scholar]

8. Zhang J, Zhao H-P, Tansu N. Активные области квантовых ям AlGaN-дельта-GaN с большим оптическим усилением в средних и глубоких ультрафиолетовых спектральных режимах. Письма по прикладной физике . 2011;98(17)171111 [Google Scholar]

9. Wang XH, Chang BK, Du YJ, Qiao JL. Квантовая эффективность фотокатода из GaN при различной освещенности. Письма по прикладной физике . 2011;99(4)042102 [Google Академия]

10. Wang XH, Chang BK, Ren L, Gao P. Влияние концентрации легирования типа p на GaN-фотокатод в режиме отражения. Письма по прикладной физике . 2011;98(8)082109 [Google Scholar]

11. Kapolnek D, Keller S, Vetury R, ​​et al. Анизотропный эпитаксиальный латеральный рост в селективной эпитаксии GaN. Письма по прикладной физике . 1997;71(9):1204–1206. [Google Scholar]

12. Брандт М.С., Хербст П., Ангерер Х., Амбахер О., Штутцманн М. Исследование термосилы n — и p — тип GaN. Физический обзор B . 1998;58(12):7786–7791. [Google Scholar]

13. Motohashi K, Hosoya K, Imano M, Tsurubuchi S, Koukitu A. Анализ поверхностей GaN (0 0 0 1) и (0001-) высокозаряженными ионами. Наука о поверхности . 2007;601(22):5304–5308. [Google Scholar]

14. Du Y, Chang B, Fu X, Wang X, Wang M. Электронная структура и оптические свойства цинковой обманки GaN. Оптик . 2012;123(24):2208–2212. [Google Академия]

15. Тимон В., Брэнд С., Кларк С.Дж., Гибсон М.С., Абрам Р.А. Расчеты из первых принципов 2 × 2 реконструкций поверхностей GaN(0001) с участием атомов N, Al, Ga, In и As. Physical Review B: Физика конденсированных сред и материалов . 2005;72(3)035327 [Google Scholar]

16. Накамура С., Фасол Г. Синий лазерный диод . Берлин, Германия: Springer; 1997. [Google Scholar]

17. Роза А.Л., Нойгебауэр Дж. Расчеты из первых принципов структурных и электронных свойств чистых поверхностей GaN (0001). Physical Review B. Физика конденсированных сред и материалов . 2006;73(20)205346 [Google Scholar]

18. Хаттори А.Н., Эндо К., Хаттори К., Даймон Х. Обработка поверхности для получения чистого GaN(0 0 0 1) с помощью промышленной эпитаксии из паровой фазы гидрида и металлоорганической химии. осаждение подложек из паровой фазы в сверхвысоком вакууме. Прикладная наука о поверхности . 2010;256(14):4745–4756. [Google Scholar]

19. Рапцевиц К., Нарделли М.Б., Бернхольк Дж. Теория морфологии поверхности вюрцитных поверхностей GaN (0001). Physical Review B. Физика конденсированных сред и материалов . 1997;56(20)R12725 [Google Scholar]

20. Feenstra RM, Northrup JE, Neugebauer J. Обзор структуры чистых и покрытых адсорбатом поверхностей GaN(0001). MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research . 2002; 7:1–27. [Google Scholar]

21. Du Y, Chang B, Zhang J, Li B, Wang X. Изучение электронной структуры и оптических свойств поверхности GaN(0001) из первых принципов. Acta Physica Sinica . 2012;61(6)067101 [Google Scholar]

22. Пахневич А.А., Бакин В.В., Язьков А.В. Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs, O) с эффективным отрицательным сродством к электрону. Письма JETP . 2004;79(10):479–483. [Google Scholar]

23. Machuca F, Liu Z, Maldonado JR, Coyle ST, Pianetta P, Pease RFW. Нитридный фотокатод группы III с отрицательным сродством к электрону продемонстрировал себя как высокоэффективный источник электронов. Journal of Vacuum Science and Technology B: Микроэлектроника и нанометровые структуры . 2004;22(6):3565–3569. [Google Scholar]

24. Qiao J, Tian S, Chang BK, Du X, Gao P. Прогресс в исследовании вакуумного поверхностного источника электронов GaN с отрицательным сродством к электрону. Китайское физическое общество . 2009;58, статья 5847 [Google Scholar]

25. Du X, Chang B, Qian Y, Fu R, Gao P, Qiao J. Метод активации фотокатода GaN с отрицательным сродством к электрону. Китайский лазерный журнал . 2010;37(2):385–388. [Google Scholar]

26. Du Y, Chang B, Wang X, Zhang J, Li B, Wang M. Теоретическое исследование адсорбции Cs на поверхности GaN(0 0 0 1). Прикладная наука о поверхности . 2012;258(19):7425–7429. [Google Scholar]

27. Shen Y, Kang J. Неэмпирический расчет электронной структуры примесей углерода и кислорода в GaN. Acta Physica Sinica . 2002;51(3, статья 645) [Google Scholar]

28. Pang C, Shi J, Zhang Y, et al. Электронные структуры вюрцита GaN с вакансиями Ga и N. Китайские письма по физике . 2007;24(7):2048–2051. [Google Scholar]

29. Jie WW, Yang C. Электронные структуры вакансионных дефектов в гексагональном GaN. Journal of Sichuan Normal University (Natural Science) 2010;33, статья 803 [Google Scholar]

оптические свойства GaN. Китайские буквы оптики . 2012;10(5)051601 [Google Scholar]

31. Perlin P, Jauberthie-Carillon C, Itie JP, San Miguel A, Grzegory I, Polian A. Спектроскопия комбинационного рассеяния и рентгеновского поглощения в нитриде галлия при высоких температурах. давление. Физический обзор B . 1992;45(1):83–89. [PubMed] [Google Scholar]

32.